外媒在分析全球光刻机专利的时候发现，中国研发EUV光刻机的时间远超过西方的预估，早在2018年就已开始申请EUV光刻专利，凸显出中国对芯片技术自主研发的执着和坚持，而那时候中国还在推进14纳米的量产。
促使中国关注EUV光刻技术，在于2018年中国一家芯片企业下单采购EUV光刻机遇阻，由此中国芯片行业开始认识到发展先进芯片技术恐怕不会那么容易，西方可能会在先进设备方面予以阻挠，只是没想到西方这么多年过去放行EUV光刻机。
从2018年开始研发EUV光刻机至今已有7年时间了，这7年时间里中国诸多企业陆续提交了更多的专利申请，在技术上也不断取得进展，诸如双工作台、激光对准技术等都陆续取得了突破。
只不过EUV光刻机的技术难度实在太高，而且光刻机本身就是一个庞大的产业链，DUV光刻机的零件高达10万个，而EUV光刻机的零件更是高达45万个之多，据悉EUV光刻机需要全球数十个国家的5000家企业配合才能完成，生产EUV光刻机的ASML仅是生产了其中15%的零件。
这就导致中国的光刻机产业链即使在部分技术方面取得突破，但是仍然有太多关键技术需要突破，真正将EUV光刻机生产出来恐怕仍然需要不短的时间。
在光刻机技术方面继续努力之余，中国也在基于现有的DUV光刻机开发先进工艺，普遍认为中国已在利用DUV光刻机生产7纳米工艺，这是全球继台积电之后第二家利用DUV光刻机生产7纳米工艺。
西方推测中国可能也在推进以DUV光刻机生产5纳米工艺，而浸润式光刻机之父林本坚认为中国以现有的DUV光刻机生产5纳米的可行性是有的，只是5纳米工艺大概率就是DUV光刻机的极限了，而且即使可以生产5纳米，成本可能也远超经济成本。
除了基于现有的硅基芯片技术继续推进之外，西方更担忧的则是在先进的量子芯片、光子芯片技术方面，这些先进芯片技术，目前全球仅有中国和美国有能力推进并已取得了进展，如果这些先进芯片技术成功商用，普遍预计中国将与美国居于同一技术水平。
在量子芯片、光子芯片技术方面，中国则与美国一样，从产业链到技术都完全自主化，因为这些先进技术全球都没有先例，只能各自摸索，这些先进芯片技术将再无卡脖子之忧。
从EUV光刻技术到量子芯片、光子芯片技术，可以看出中国作为全球大国向来是从来未雨绸缪，这恰恰是西方所担忧的，也难以评估中国在先进芯片技术方面的进展，相比之下如今的美国在先进芯片技术已失去了锐气，以至于美国最大的芯片企业Intel如今竟然传出从台积电窃取2纳米技术，更让人质疑在更先进的量子芯片、光子芯片等技术方面是否真的如预期般取得进展。
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